西安高新区三星半导体二期项目投资超140亿美元

2019-05-20 09:20:09 9

  新华社西安5月17日电(记者李华、薛天)记者近日从位于西安高新区的三星(中国)半导体有限公司采访了解到,三星半导体高端存储芯片二期项目总投资将超过140亿美元。二期项目已于2018年3月开工建设,预计2019年7月份建成,2020年一季度实现量产。

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  三星(中国)半导体有限公司副总裁池贤基在采访中说,三星半导体的存储芯片二期项目分为两个阶段,第一阶段投资70亿美元,第二阶段详细计划还未出炉,但预计会超过70亿美元,总投资将超过140亿美元。

  2012年,西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目,生产“V-NAND”闪存芯片。一期项目于2014年5月竣工投产。“一期项目计划投资70亿美元,实际总投资超过了100亿美元。”池贤基说。

  据介绍,直接在中国生产“V-NAND”闪存芯片,将使三星更有效率地应对市场的变化和顾客的需求。池贤基说,三星半导体继续投建二期项目,表示他们对中国经济很有信心。